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高精度 ADC/DAC 器件动态参数测试系统解决方案
随着数字信号处理技术和数字电路工作速度的提高，以及对于系统灵敏度等要求的不断提高，对高速、高精度 ADC、DAC 的指标都提出了更高要求。传统的静态参数测试（如积分非线性、微分非线性）已无法全面评估器件在 信号处理链中的真实表现。构建一套高精度、可重复的动态参数测试系统，已成为芯片设计验证、生筛选、终端 用户选型和系统集成前不可或缺的关键环节。
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运算放大器 / 比较器直流参数自动化测试解决方案
本方案旨在建立一套标准化、自动化、高精度的运算放大器（Op-Amp）与电压比较器（Comparator）直流参数测试系统。系统基于自动化测试平台（ATE）或由精密测量单元（PMU）、数字万用表（DMM）、可编程电源、精密电阻网络及开关矩阵组成的自研测试系统，通过计算机程序控制，实现测试流程的自动执行、数据采集、分析和报告生成。
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电源管理芯片效率与瞬态响应测试解决方案
随着电子技术的飞速发展，电源管理芯片（Power Management IC, PMIC）已成为现代电子系统的核心组件。在5G 通信、人工智能、物联网、新能源汽车、工业自动化等新兴应用领域，对电源系统的性能要求日益严苛。电源管理芯片不仅要提供稳定可靠的供电，还需要在能效和动态响应特性上达到更高的标准。
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SiC/GaN 宽禁带半导体器件动态特性测试解决方案
宽禁带半导体器件（SiC 和 GaN）凭借其优异的材料特性，正在推动电力电子技术向更高频率、更高效率、更高功率密度方向发展。然而，这些器件极快的开关速度（dv/dt 可达 100V/ns 以上，di/dt 可达 10A/ns 以上）给动态特性测试带来了前所未有的挑战。传统硅基器件的测试方法已无法满足精度要求，寄生参数的影响、测量系统的带宽限制以及电磁干扰问题成为制约测试准确性的关键因素。本解决方案针对 SiC/GaN 器件的特殊测试需求，为器件研发、模型验证、应用选型及可靠性评估提供关键数据支撑。
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SiC/GaN MOSFET 等功率器件的 Rds (on) 测试解决方案
当代电子技术的发展不仅需要高效性能，还需要可靠和可持续的解决方案。而 SiC MOSFET 作为一种新型的功率器件，正在引领着未来能源转型的浪潮。并且 MOSFET 在越来越多的新能源和汽车电子应用中，都能发现它的身影。而在 SiC MOSFET 中有一个关键参数—Rds(on)，这个参数的优化，能够决定 MOSFET 导通的损耗和效率，同时能为电动汽车提升续航并且还是可再生能源系统高效化的核心驱动力。通过材料创（SiC/GaN）、封装优化和智能驱动技术，该参数的突破正重塑电力电子行业格局，推动交通与能源领域向更高能效、更低成本的方向发展。
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电动汽车功率驱动芯片测试解决方案
功率驱动芯片是电动汽车及电力电子系统中，专门用于处理高电压、大电流电能转换与精准控制的集成电路（或模块），堪称“电能的开关与指挥官”。它通过集成功率开关元件（如 IGBT、MOSFET、SiC/GaN器件）和配套控制电路（驱动、保护、检测），实现对电能形态（直流 / 交流）、电压、电流的灵活调控，是连接电源（如电池）与负载（如电机、充电设备）的核心枢纽。
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